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- 发布日期：2024-01-03 09:09 点击次数：104
SGT65R65AL
图像仅供参考
请参阅产品规格
编号：
511-SGT65R65AL
制造商编号：
SGT65R65AL
制造商：
STMicroelectronics
STMicroelectronics
客户编号:
说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 650 V， 49 mOhm typ.， 25 A， e-mode PowerGaN transistor
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新产品: 此制造商的新产品。
数据表:
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库存量: 30
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3，000
生产周期：
48
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1 倍数： 1 最多： 25
输入数量：
购买
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
剪切带
eel™ (+¥15.00)
定价 (含13% 增值税)数量 单价
总价
剪切带/eel™ † 1 ¥72.8963 ¥72.90 10 ¥65.9016 ¥659.02 25 ¥62.8054 ¥1，570.14 整卷卷轴（请按3000的倍数订购） 3，000 ¥62.8054 ¥188，416.20
† ¥15.00 eel™费将被加上并在购物车计算。所有eel™订单均不可撤消和退回。 ↩
× 包装选择
取决于您的订购数量，有些选项可能不可用。
剪切带
产品从完整卷轴带切割成定制数量。
eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）
按照客户指定的数量切割产品卷轴。 所有 eel 订单均不可撤消和退回。
完整卷轴
订购数量必须与制造商的完整卷轴数量相符。 若要购买整个卷轴，请按3000的倍数订购。
卷轴和剪切带
以完整卷轴和剪切带的组合订购产品。
卷轴和eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）
以整个卷轴和 eel™ 的组合方式订购产品。
特色产品
STMICROELECTRONICS
规格
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产品属性 属性值 选择属性 制造商: STMicroelectronics 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RoHS: 详细信息 晶体管极性: N-Channel 技术: GaN Si Id-连续漏极电流: 25 A Vds-漏源极击穿电压: 650 V Rds On-漏源导通电阻: 65 mOhms 工作频率: - 增益: - 输出功率: - 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: PowerFLAT-4 封装: Reel 封装: Cut Tape 封装: eel 商标: STMicroelectronics 湿度敏感性: Yes 通道数量: 1 Channel Pd-功率耗散: 305 W 产品类型: RF MOSFET Transistors Qg-栅极电荷: 5.4 nC 工厂包装数量: 工厂包装数量: 3000 子类别: MOSFETs 晶体管类型: 1 类型: RF Power MOSFET Vgs - 栅极-源极电压: 6 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V 单位重量: 76 mg
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Application Notes
E-mode GaN technology: tips for best driving (PDF) Probing considerations for PowerGaN transistors (PDF)
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产品合规性
CNHTS: 8541290000 CAHTS: 8541290000 USHTS: 8541290095 TARIC: 8541290000 MXHTS: 8541299900 ECCN: EAR99
更多信息
SGT65R65AL e-mode PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT65R65AL e-mode PowerGaN晶体管是650V、25A晶体管， ATMEGA系列ATMEL芯片COM采用成熟的封装技术。STMicroelectronics SGT65R65AL采用G-HEMT器件， CMOS图像传感器集成电路芯片其具有极低的导通损耗、高电流能力和超快开关操作。该器件可实现高功率密度和出色的效率性能。
客户还购买了
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制造商零件编号
描述
库存
CMOS图像传感器IC集成电路芯片 PFE， PCIe， 20x CAN FD， 4x GbE - Vehicle Network Processor
快速查看
库存: 195
195
- STMicroelectronics IPS2050HQ-322024-01-11
- STMicroelectronics IPS1025HTR2024-01-11
- STMicroelectronics IPS8160HQ-12024-01-11